IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA-(T)-R3G系列

    金升阳致力于为客户提供更优质的电源解决方案，基于自主电路平台、IC平台、工艺平台，升级推出IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源QA-R3G/QAC-R3G系列产品，同时为结合充电桩市场应用需求，打造了全新的满足元器件100%国产化、高可靠的R3代驱动电源产品。

二、产品优势

1、优势特点

①高可靠隔离电压：5000VAC（加强绝缘）

R3代驱动电源产品基于自主IC设计平台，在可靠性上相较于R1代和竞品有了极大的提升，隔离电压高达5000VAC（R1产品/竞品为3750VAC），满足加强绝缘设计要求，整体可靠性得到极大提升。

②满足1700VDC长期绝缘要求

作为现阶段主流的半导体器件，应用电压为650V/900V/1200V/1700V；R3代驱动电源基于IEC-61800-5-1标准要求，实现长期绝缘电压（持续放电）满足1700V，应用范围覆盖1700V及以下的IGBT器件。

③元器件100%国产化，多项性能指标提升

R3代驱动电源相较于R1代产品，在整体性能上得到了很大提升。

    ● 效率提升：80%→86%

    ● 纹波下降：75mVpp→50mVpp

    ● 强带载能力：220uF→2200uF

    ● 静电性能提升：±6kV→±8kV 


2、优势对比

三、产品应用

作为IGBT/SiC MOSFET的专业驱动电源，该系列产品在应用上基本覆盖相对应的行业，包含充电桩、光伏等领域。

四、产品特点

1、QA-R3G系列

    ● 超小型SIP封装

    ● CMTI>200kV/μs                         

    ● 局部放电1700V

    ● 隔离电压5000VAC（加强绝缘）

    ● 最大容性负载2200μF

    ● 超小隔离电容3.5pF(typ.)

    ● 工作温度范围：-40℃ to +105℃

    ● 可持续短路保护

2、QA-T-R3G系列

    ● CMTI>200kV/μs

    ● 局部放电1700V

    ● 隔离电压5000VAC（加强绝缘）

    ● 最大容性负载2200μF

    ● 超小隔离电容2.5pF(typ.)

    ● 工作温度范围：-40℃ to +105℃

    ● SMD封装

    ● 效率高达86%

    ● 可持续短路保护

 

五、产品选型